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新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

release time:2024-02-18

新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET




CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术,CoolSiC™技术的输出电流能力强,可靠性提高。


产品型号:

▪️ IMYH200R012M1H

▪️ IMYH200R024M1H

▪️ IMYH200R050M1H

▪️ IMYH200R075M1H

▪️ IMYH200R0100M1H


产品特点


○  VDSS=2000V,可用于最高母线电压为1500VDC系统

○  开关损耗极低

○  创新的HCC封装

○  针脚间爬电距离为14毫米

○  5.4毫米电气间隙

○  栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V

○  用于硬换流的坚固体二极管

○  .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

○  高耐湿性


应用价值


○  市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件,阻断电压高达2000V

○  1500V的DC的变流器可以用两电平实现

○  与1700V SiC MOSFET相比,1500 VDC系统具有足够的过压裕量

○  创新的TO-247封装,具有高爬电距离和间隙


应用领域


○  光伏逆变器

○  储能系统

○  电动汽车充电



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