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睿启新智造,能创芯未来—睿能科技总部园区盛大启幕
2025年8月21日,位于福州市高新区的睿能科技总部园区彩旗飘扬,格外喜庆。在全体员工的共同努力下,总部园区全面落成并迎来盛大的开园仪式。
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干货|如何更好的驱动SiC MOSFET?
得益于宽禁带半导体的材料优势,SiC MOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiC MOSFET很多性能与传统Si基器件不同,对驱动设计也提出了更高的要求。
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英飞凌第二代HybridPACK™ Drive 扩展结温至200℃,以提升电动车加速性能
英飞凌提供的最新HybridPACKTM Drive Gen2 SiC MOSFET都允许达到200℃,也是业界第一个标注在规格书中的最高结温,如何使用和理解该技术特点实现电驱的性能优势……
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IPAC直播间 | CoolSiC™碳化硅直播季 - 迎接碳化硅2000V时代
今年3月, 英飞凌推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件, 全面开启碳化硅2000V的时代。 最新的2000V CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。 作为英飞凌的创新产品,其在直流母线电压表现抢眼,能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。
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英飞凌 REAL™ 3D ToF 携手光鉴科技,赋能机器人新“视”界
在人工智能的壮观征程中,机器感知如同掀起创新波澜的引擎。通过模仿人类的感官,AI能够解读复杂数据、洞察周围环境并做出精确决策。从视觉识别到语音理解,机器感知不仅增强了交互的自然性,也拓展了AI在健康、安全、自动驾驶等领域的应用疆界。它们正在变得更聪明、更敏感、更具适应性。
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英飞凌推出先进的混合型ToF(hToF)技术, 赋能新一代智能机器人
英飞凌科技股份公司与设备制造商欧迈斯微电子和ToF技术专家湃安德科技(pmd technologies)合作,开发出一种新型高分辨率摄像头解决方案,可为新一代智能消费型机器人提供更强大的深度感应和三维场景理解能力。
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2025年8月21日,位于福州市高新区的睿能科技总部园区彩旗飘扬,格外喜庆。在全体员工的共同努力下,总部园区全面落成并迎来盛大的开园仪式。
2025-08-28
睿启新智造,能创芯未来—睿能科技总部园区盛大启幕
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得益于宽禁带半导体的材料优势,SiC MOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiC MOSFET很多性能与传统Si基器件不同,对驱动设计也提出了更高的要求。
2024-06-19
干货|如何更好的驱动SiC MOSFET?
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英飞凌提供的最新HybridPACKTM Drive Gen2 SiC MOSFET都允许达到200℃,也是业界第一个标注在规格书中的最高结温,如何使用和理解该技术特点实现电驱的性能优势……
2024-06-12
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今年3月, 英飞凌推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件, 全面开启碳化硅2000V的时代。 最新的2000V CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。 作为英飞凌的创新产品,其在直流母线电压表现抢眼,能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。
2024-05-06
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在人工智能的壮观征程中,机器感知如同掀起创新波澜的引擎。通过模仿人类的感官,AI能够解读复杂数据、洞察周围环境并做出精确决策。从视觉识别到语音理解,机器感知不仅增强了交互的自然性,也拓展了AI在健康、安全、自动驾驶等领域的应用疆界。它们正在变得更聪明、更敏感、更具适应性。
2024-04-22
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英飞凌科技股份公司与设备制造商欧迈斯微电子和ToF技术专家湃安德科技(pmd technologies)合作,开发出一种新型高分辨率摄像头解决方案,可为新一代智能消费型机器人提供更强大的深度感应和三维场景理解能力。
2024-04-15
英飞凌推出先进的混合型ToF(hToF)技术, 赋能新一代智能机器人
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